Polysilicon چقدر خالص است؟

نیاز خلوص برای Polysilicon بسیار زیاد است ، اما بسته به استفاده نهایی آن بسیار متفاوت است:

درجه الکترونیکی (برای نیمه هادی ها): ‌ این بالاترین سطح خلوص است ، که به طور معمول به خلوص 99.9999999 ٪ (9N) یا خلوص بالاتر نیاز دارد. ناخالصی ها باید در هر میلیارد (PPB) یا حتی قطعات در هر تریلیون (PPT) به قطعات کاهش یابد. حتی غلظت دقیقه ای از دوپانت ها مانند بور ، فسفر یا فلزات می توانند به طور چشمگیری خصوصیات الکتریکی ویفرهای سیلیکون مونوکریستالی نهایی و عملکرد مدارهای یکپارچه ساخته شده بر روی آنها را تخریب کنند. فرآیندهای خشک کردن دقیق (مانند Flashdry) پس از تصفیه مهم برای جلوگیری از اکسیداسیون سطح و آلودگی قبل از رشد کریستال هستند.
درجه خورشیدی (برای فتوولتائیک): ‌ در حالی که هنوز بسیار خالص است ، الزامات کمی دقیق تر از درجه الکترونیکی است ، به طور معمول در حدود 99.9999 ٪ (6n) خلوص. تحمل برای ناخالصی های خاص ، به ویژه دوپانت ها که می توانند برای سلولهای خورشیدی (مانند بور یا فسفر) مفید باشند ، بیشتر هستند. پیشرفت در فناوری تصفیه ، ضمن حفظ کیفیت کافی ، هزینه و مصرف انرژی پلی سیلیکون درجه خورشیدی را به میزان قابل توجهی کاهش داده است.

فرآیندهای تصفیه (به عنوان مثال ، تقطیر کلروسیلان ها ، رسوب بخار شیمیایی در فرآیند زیمنس ، تبلور/برش پیشرفته) به طور خاص برای دستیابی به این سطح خلوص خارق العاده از مواد اولیه نسبتاً نجس MGS طراحی شده اند.