روش سنتز در دمای بالا برای تولید کاربید سیلیکون
جریان فرآیند کاربید سیلیکون: محیط با دمای فوق العاده بالا: حرارت دادن به بیش از 2500 درجه از طریق پلاسما یا قوس برای دستیابی به واکنش آنی. سنتز سریع: زمان واکنش به چند ساعت کاهش می یابد و SiC با خلوص بالا مستقیماً تولید می شود.
مزایا: این محصول دارای خلوص بالا (99.9٪) و ساختار کریستالی عالی است.
هیچ محصول واسطه ای وجود ندارد که برای تهیه SiC در مقیاس نانو مناسب باشد. معایب: تجهیزات گران قیمت و مصرف انرژی بسیار بالا. استفاده از این فناوری در مقیاس بزرگ دشوار و دشوار است. کاربرد: زمینه های پیشرفته مانند نیمه هادی ها و پوشش های نوری. فرآیندهای دیگر: رسوب بخار شیمیایی (CVD): برای لایه نازک یا SiC تک کریستال استفاده می شود، هزینه آن بسیار بالا است. روش سل-ژل: برای دسته های کوچک نانو سی سی در آزمایشگاه مناسب است و صنعتی سازی دشوار است.
پارامترهای کاربید سیلیکون
|
علامت تجاری |
ژن آن |
|
محصول |
سیلیکون کاربید |
| اندازه ذرات | ساینده |
| اندازه نسوز | 0-1 میلی متر 0-10 میلی متر 0-100 میلی متر |
نحوه ثبت سفارش
A: خریدار درخواست ارسال → دریافت قیمت کاربید سیلیکون → تأیید سفارش → خریدار ترتیب سپرده 30٪ → تولید با دریافت سپرده شروع شد → بازرسی دقیق در طول تولید → خریدار ترتیب پرداخت مانده → بسته بندی → تحویل طبق شرایط تجاری
تگ های محبوب: کاربید سیلیکون با کیفیت بالا / سنباده، کاربید سیلیکون با کیفیت بالا / تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه چین